Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Punteggio complessivo
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    26 left arrow 35
    Intorno 26% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    16.8 left arrow 12.3
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    13.6 left arrow 7.4
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    25600 left arrow 10600
    Intorno 2.42 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    26 left arrow 35
  • Velocità di lettura, GB/s
    12.3 left arrow 16.8
  • Velocità di scrittura, GB/s
    7.4 left arrow 13.6
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1678 left arrow 3049
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