RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Punteggio complessivo
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
65
69
Intorno 6% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
1,592.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
69
Velocità di lettura, GB/s
3,580.8
14.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,592.0
9.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
572
1992
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB Confronto tra le RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link