RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Punteggio complessivo
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
12.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
65
Intorno -141% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.5
1,592.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
27
Velocità di lettura, GB/s
3,580.8
12.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,592.0
10.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
572
2536
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link