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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
31
Intorno 23% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.2
12.5
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
31
Velocità di lettura, GB/s
16.0
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
15.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
17000
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
3650
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
UMAX Technology 16GB
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