RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
24
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.3
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
12.5
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
23
Velocità di lettura, GB/s
16.0
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
2993
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link