RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
48
Intorno 50% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
11.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
16
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
48
Velocità di lettura, GB/s
16.0
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
3207
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link