RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
17
24
Intorno -41% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
22
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.4
12.5
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
17
Velocità di lettura, GB/s
16.0
22.0
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
16.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
17000
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
3704
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP125U72CP8-Y5 2GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link