RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
31
Intorno 23% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.1
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
12.5
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
31
Velocità di lettura, GB/s
16.0
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
17000
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
3091
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link