RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
33
Intorno 27% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
7.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
33
Velocità di lettura, GB/s
16.0
9.8
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
7.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
2291
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link