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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
35
Intorno 31% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.1
12.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
35
Velocità di lettura, GB/s
16.0
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
15.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
25600
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
3191
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Confronto tra le RAM
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
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