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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Motivi da considerare
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
24
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.1
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.0
12.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
23
Velocità di lettura, GB/s
16.0
18.1
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
21300
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
3317
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
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