Confronto tra le RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB

Punteggio complessivo

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

24 39

Intorno 38% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

16 14.3

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

12.5 10.8

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB

Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

21300 19200

Intorno 1.11 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2925 2159

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns