RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
17
24
Intorno -41% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21.6
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
18.6
12.5
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
17
Velocità di lettura, GB/s
16.0
21.6
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
18.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
17000
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
3528
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology C 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Inmos + 256MB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link