RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
47
Intorno 49% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
14.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
11.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
47
Velocità di lettura, GB/s
16.0
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
21300
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
2875
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Mushkin 991586 2GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link