RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Confronto
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Punteggio complessivo
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
28
Intorno 11% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.8
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.7
6.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
28
Velocità di lettura, GB/s
11.7
13.8
Velocità di scrittura, GB/s
6.9
8.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1922
2443
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-439.A00LF 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link