Kingston 16JTF51264AZ-1G6M1 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Kingston 16JTF51264AZ-1G6M1 4GB vs Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Kingston 16JTF51264AZ-1G6M1 4GB

Kingston 16JTF51264AZ-1G6M1 4GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    37 left arrow 93
    Intorno -151% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    13.2 left arrow 5.7
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    8.4 left arrow 4.0
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 16JTF51264AZ-1G6M1 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    93 left arrow 37
  • Velocità di lettura, GB/s
    5.7 left arrow 13.2
  • Velocità di scrittura, GB/s
    4.0 left arrow 8.4
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1024 left arrow 2143
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti