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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Confronto
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,160.7
11.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
43
Intorno -34% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
32
Velocità di lettura, GB/s
5,987.5
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,160.7
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
957
2960
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
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