RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Confronto
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
15.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,160.7
11.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
43
Intorno -43% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
30
Velocità di lettura, GB/s
5,987.5
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,160.7
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
957
2341
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link