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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Confronto
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
27
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.6
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.7
8.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
26
Velocità di lettura, GB/s
13.2
20.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
16.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2196
4084
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
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