RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Confronto
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
8.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
27
Velocità di lettura, GB/s
13.2
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2196
3587
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link