RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Confronto
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
20.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,036.1
13.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
75
Intorno -121% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
75
34
Velocità di lettura, GB/s
3,986.4
20.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,036.1
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
714
3343
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link