RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Confronto
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
42
Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.1
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.6
8.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
28
Velocità di lettura, GB/s
12.8
18.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
15.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2095
3693
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905402-664.A00LF 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link