RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Confronto
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
42
Intorno -100% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.7
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.1
8.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
21
Velocità di lettura, GB/s
12.8
18.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
14.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2095
3380
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905402-664.A00LF 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link