RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Confronto
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
40
Intorno -122% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.4
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
18.1
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
18
Velocità di lettura, GB/s
12.8
20.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
18.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2233
3529
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link