RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Confronto
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
27
Intorno -17% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
5.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
23
Velocità di lettura, GB/s
10.0
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
5.7
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1435
3004
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT25664BD160BJ.C4F 2GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link