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Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Confronto
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Punteggio complessivo
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
38
Intorno 26% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
9.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
5.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
38
Velocità di lettura, GB/s
9.7
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
5.2
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1731
3206
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S3V64L11/8G 8GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
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