RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Confronto
Kingston K531R8-MIN 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Punteggio complessivo
Kingston K531R8-MIN 4GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston K531R8-MIN 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
30
Intorno 7% latenza inferiore
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.9
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston K531R8-MIN 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
30
Velocità di lettura, GB/s
13.4
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2445
3473
Kingston K531R8-MIN 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link