RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Confronto
Kingston KP4T2F-PSB 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Punteggio complessivo
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
38
Intorno -41% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.8
9.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
27
Velocità di lettura, GB/s
13.9
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.3
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2317
3693
Kingston KP4T2F-PSB 4GB Confronto tra le RAM
Kingston KP4T2F-MIN 4GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link