RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Confronto
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Punteggio complessivo
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
29
Intorno 10% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
13.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.2
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
29
Velocità di lettura, GB/s
13.9
13.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
10.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2432
2088
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Confronto tra le RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link