RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Confronto
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Punteggio complessivo
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
18.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
50
Intorno -85% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.0
1,905.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
27
Velocità di lettura, GB/s
5,143.3
18.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,905.1
16.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
855
3672
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link