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Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Confronto
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB vs Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Punteggio complessivo
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Punteggio complessivo
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
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Motivi da considerare
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
29
Intorno -7% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.8
9.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
5.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
27
Velocità di lettura, GB/s
9.4
12.8
Velocità di scrittura, GB/s
5.1
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1432
2148
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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