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Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Confronto
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB vs Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
40
41
Intorno 2% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.4
14.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
8.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
40
41
Velocità di lettura, GB/s
14.4
14.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2455
2240
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
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