Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4D1 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB

Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4D1 4GB vs Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4D1 4GB

Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4D1 4GB

Punteggio complessivo
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Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    28 left arrow 40
    Intorno -43% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    18.4 left arrow 13.8
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    14.7 left arrow 8.4
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 10600
    Intorno 1.6 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4D1 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    40 left arrow 28
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.8 left arrow 18.4
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.4 left arrow 14.7
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2302 left arrow 3525
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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