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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Inmos + 256MB
Confronto
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Inmos + 256MB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Punteggio complessivo
Inmos + 256MB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
30
Intorno 7% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.9
11.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Inmos + 256MB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.1
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
16800
12800
Intorno 1.31 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Inmos + 256MB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
30
Velocità di lettura, GB/s
12.9
11.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
16800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2112
2318
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Inmos + 256MB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
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Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
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