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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Confronto
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Punteggio complessivo
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
30
Intorno 7% latenza inferiore
Motivi da considerare
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
12.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.7
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
30
Velocità di lettura, GB/s
12.9
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
9.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2112
2496
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
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