RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Confronto
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Punteggio complessivo
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
57
Intorno 51% latenza inferiore
Motivi da considerare
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.4
12.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.7
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
57
Velocità di lettura, GB/s
12.9
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
9.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2112
2253
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link