RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Confronto
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
36
Intorno 22% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.4
12.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.6
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
36
Velocità di lettura, GB/s
12.9
14.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2112
2490
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link