RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Confronto
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,107.0
12.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
58
Intorno -132% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
58
25
Velocità di lettura, GB/s
4,025.3
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,107.0
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
670
2870
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link