RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Confronto
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
20.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,107.0
16.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
17
58
Intorno -241% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
58
17
Velocità di lettura, GB/s
4,025.3
20.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,107.0
16.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
670
3550
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HD5N-CG 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Mushkin 994083 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link