RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Confronto
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
51
Intorno -155% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.6
15.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.5
11.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
20
Velocità di lettura, GB/s
15.6
19.6
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2687
3234
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link