RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Confronto
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB vs A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
41
Intorno -14% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.6
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.7
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
36
Velocità di lettura, GB/s
13.3
13.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
8.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1982
2231
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link