RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Confronto
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
72
Intorno 43% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
8.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.3
13.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
72
Velocità di lettura, GB/s
13.3
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1982
1817
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Corsair CMV8GX3M1A1333C9 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link