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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Confronto
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
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Motivi da considerare
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Motivi da considerare
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.1
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.9
8.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
37
Velocità di lettura, GB/s
13.9
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2395
2804
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
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Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
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