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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Confronto
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
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Motivi da considerare
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
37
Intorno -37% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
8.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
12800
Intorno 1.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
27
Velocità di lettura, GB/s
13.9
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
23400
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2395
3245
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
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