RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Confronto
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
92
Intorno -142% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.4
1,266.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
92
38
Velocità di lettura, GB/s
2,105.4
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,266.1
11.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
339
2821
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link