RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Confronto
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
36
Intorno -29% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.1
14.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.6
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
28
Velocità di lettura, GB/s
14.9
18.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
15.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2292
3693
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link