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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Confronto
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Motivi da considerare
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
5.3
3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
4.2
1,308.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
54
Velocità di lettura, GB/s
3,573.5
5.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,308.1
4.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
371
1277
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
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