RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Confronto
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,256.8
13.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
64
Intorno -113% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
64
30
Velocità di lettura, GB/s
4,651.3
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,256.8
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
837
3117
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link