RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Confronto
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Punteggio complessivo
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
64
Intorno -68% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.2
2,256.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
64
38
Velocità di lettura, GB/s
4,651.3
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,256.8
9.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
837
2359
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link