RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
42
Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
9.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
6.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
28
Velocità di lettura, GB/s
9.7
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
6.0
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1396
3344
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB Confronto tra le RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link